5月1日起，这些电子数据可正式作为打官司的证据

特种气体在整个半导体制作工艺及流程中被广泛应用，在芯片制作过程中很多流程都离不开特种气体，如沉积CVD、刻蚀、光刻、成膜、离子注入到器件封装等环节。将特种气体分为两类，帮助制造半导体器件的特种气体与制造半导体材料的特种气体。

半导体工业常用特气：

1. 磷烷（PH3）：剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。

2. 砷烷（AsH3）：剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

3. 氢化锑（SbH3）：剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。

4. 五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。

5. 六氟乙烷（C2H6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。

6. 三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。

7. 三氟化氮（NF3）：毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。

8. 三氟化磷（PF3）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。

9. 四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。

10. 乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂。

11. 四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、外延沉积扩散的硅源和光导纤维等用高纯石英玻璃的原料。

12. 锗烷（GeH4）：剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。

13. 全氟丙烷（C3F8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。

14. 硅烷（SiH4）：有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等。

因为半导体生产的特殊性，对器件的性能及质量的要求比其他产品更高。使用膜过滤法、综合吸收法等特殊检测技术，对半导体特气进行特定分析。半导体特气不仅影响产品性能还影响其质量，在工业中十分重要，决定了半导体器件的稳定性、电学性能及可靠性。